客服熱線：010-56865786
TOSHIBA場效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型（π-MOSIV）
開關(guān)穩(wěn)壓器應(yīng)用
•低漏源導通電阻：RDS（ON）= 1.0Ω（典型值）
•高正向傳輸導納：⎪Yfs⎪= 7.0 S（典型值）
•低漏電流：IDSS = 100μA（最大）（VDS = 720 V）
•增強型號：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）
注意：即使操作條件（即操作溫度/電流/電壓等），在重負載下連續(xù)使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度顯著變化等） 電壓等）在絕對最大額定值內(nèi)。 請在閱讀“東芝半導體可靠性手冊”（“使用注意事項”/“降額概念和方法”）和個人可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）時設(shè)計適當?shù)目煽啃浴?/p>
