TOSHIBA場效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型（π-MOSVI）

開關(guān)穩(wěn)壓器應(yīng)用

•低漏源導(dǎo)通電阻：RDS（ON）= 0.54Ω（典型值）

•高正向傳輸導(dǎo)納：| Yfs | = 8.5 S（典型值）

•低漏電流：IDSS = 100μA（最大）（VDS = 600 V）

•增強(qiáng)模式：Vth = 2.0至4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）

注意：即使在工作條件（即工作溫度/電流/電壓）下，連續(xù)在重負(fù)載下使用（例如高溫/電流/電壓的應(yīng)用和溫度的顯著變化等） 電壓等）在絕對最大額定值內(nèi)。 請?jiān)陂喿x“東芝半導(dǎo)體可靠性手冊”（“使用注意事項(xiàng)”/“降額概念和方法”）和個(gè)人可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報(bào)告和估計(jì)故障率等）時(shí)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)目煽啃浴?/p>