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TC58CYG1S3HxAIx是用于支持SPI接口的嵌入式應(yīng)用的串行接口NAND閃存。
TC58CYG1S3HxAIx組織為（2048 + 64）字節(jié)×64頁×2048塊。 該器件具有2112字節(jié)的數(shù)據(jù)緩沖器，允許以2112字節(jié)的增量在緩沖器和存儲器單元陣列之間傳輸編程和讀取數(shù)據(jù)。 擦除操作在單個塊單元（128K字節(jié)+ 4KB：2112字節(jié)×64頁）中實現(xiàn)。 器件具有用于順序頁讀取操作的高速模式。 當使能高速模式時，tR的平均值縮短。
TC58CYG1S3HxAIx芯片上具有ECC邏輯，可以糾正每個（512字節(jié)+ 16字節(jié)）的8位讀取錯誤。 內(nèi)部ECC邏輯具有詳細的位翻轉(zhuǎn)計數(shù)報告。
定義和縮寫
SPI
串行外設(shè)接口。
地址
該地址由具有12bits的列地址（CA）和具有17位的行地址（RA）組成。 行地址標識要訪問的頁和塊。 列地址標識要訪問的頁面內(nèi)的字節(jié)。
柱
頁面中的字節(jié)位置。
行
請參閱要訪問的塊和頁面。
部門
一個頁面中的512字節(jié)單位。
頁
讀取和程序操作的最小可尋址單位。
塊
由多頁組成，是擦除操作的最小可尋址單元。
數(shù)據(jù)緩沖區(qū)
用于將數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾卧嚵泻蛷膯卧嚵袀鬏敂?shù)據(jù)的緩沖區(qū)。
單元陣列
NAND閃存的存儲單元
設(shè)備
封裝的NAND單元。
特性：
組織
組織（內(nèi)部ECC已啟用，默認）
存儲單元陣列2112×64×2048×8位
數(shù)據(jù)緩沖器2112×8位
頁面大小2112字節(jié)
塊大小（128K + 4K）字節(jié)
組織（內(nèi)部ECC已禁用）
存儲單元陣列2176×64×2048×8位
數(shù)據(jù)緩沖器2176×8位
頁面大小2176字節(jié)
塊大�。�128K + 8K）字節(jié)
ECC
每個512字節(jié)需要8位ECC。 該器件內(nèi)部具有ECC邏輯。
模式
頁讀取，頁編程，塊擦除，內(nèi)部數(shù)據(jù)移動，復(fù)位，寫使能，寫禁止，塊鎖定，獲取功能，設(shè)置功能，塊保護，參數(shù)頁讀取，讀ID，唯一ID讀。
電源VCC = 1.7 V至1.95 V
訪問時間
單元陣列到數(shù)據(jù)緩沖器155μsmax
70 μs typ
數(shù)據(jù)傳輸速率104 MHz以下
編程/擦除時間
編程時間360μs/頁typ
塊擦除時間2.7 ms /塊typ
工作電流
讀操作電流w / HSE on（平均）21 mA max
讀取操作電流w / HSE關(guān)閉（平均）15 mA最大
程序工作電流（平均）18 mA最大
擦除操作電流（平均）22 mA最大
待機電流最大180μA
35μA（典型值）
可靠性參見可靠性說明。
封裝： SOP16 (P-SOP16-1111-1.27-001)
WSON8 (P-WSON8-0608-1.27-003)
引腳分配：
