TOSHIBA場效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型（L2-π-MOSV）

斬波調(diào)節(jié)器，DC / DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動

應(yīng)用

􀁺4 V柵極驅(qū)動

􀁺低漏源導(dǎo)通電阻：RDS（ON）= 0.28Ω（典型值）

􀁺高正向傳輸導(dǎo)納：| Yfs | = 3.5 S（典型值）

􀁺低漏電流：IDSS = 100μA（最大）（VDS = 100 V）

􀁺增強(qiáng)模式：Vth = 0.8〜2.0V（VDS = 10V，ID = 1mA）

注意：在重負(fù)載下連續(xù)使用（例如高溫/電流/電壓的應(yīng)用以及顯著的變化溫度等）可能導(dǎo)致該產(chǎn)品的可靠性顯著降低，即使操作條件（即操作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值內(nèi)。 請?jiān)陂喿x“東芝半導(dǎo)體可靠性手冊”（“使用注意事項(xiàng)”/“降額概念和方法”）和個人可靠性數(shù)據(jù)（即可靠性測試報告和估計故障率等）時設(shè)計適當(dāng)?shù)目煽啃浴?/p>