常見故障一：三極管開路故障

開路故障，指的是c-e極、b-c極、b-e極之間斷開不能導(dǎo)通電流。

三極管開路故障可以是集電極與發(fā)射極之間、LS3A1A基極與集電極之間、基極與發(fā)射極之間開路，各種電路中三極管開路后的具體故障現(xiàn)象不同，但是有一點(diǎn)相同：電路中有關(guān)點(diǎn)的直流電壓大小發(fā)生了改變。

常見故障二：三極管擊穿短路故障

短路故障通常表現(xiàn)為c-e極短路、b-e或b-c極短路。

三極管擊穿故障主要是集電極與發(fā)射極之間擊穿。三極管發(fā)生擊穿故障后，電路中有關(guān)點(diǎn)的直流電壓發(fā)生改交。

常見故障三：三極管噪聲大故障

三極管在工作時(shí)要求它的噪聲很小，一旦三極管本身噪聲增大，聽到的聲音不純凈，發(fā)出“咔咔”或“嘶嘶”聲時(shí)，放大器即出現(xiàn)噪聲大故障。三極管發(fā)生這一故障時(shí)，一般不會(huì)對(duì)電路中直流電路的工作造成嚴(yán)重影響。

下面列舉幾種常見的三極管噪聲產(chǎn)生原因和解決方法：

（1）雙極型晶體管的噪聲來源

晶體管本身產(chǎn)生的噪聲，與p-n結(jié)二極管的噪聲類似（因?yàn)樗鼈兌际巧贁?shù)載流子工作的器件），也主要有三種，即熱噪聲（Johnson噪聲）、散粒噪聲和閃變?cè)肼暎?/f噪聲）。熱噪聲和散粒噪聲都是與頻率無關(guān)的白噪聲。

① 熱噪聲

這是由于載流子的熱運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的電流起伏及其在電阻上產(chǎn)生的電壓起伏。因此，熱噪聲既與溫度T有關(guān)，也與電阻R有關(guān)。

對(duì)于BJT，各個(gè)區(qū)域材料的體電阻以及各個(gè)電極的接觸電阻都將會(huì)產(chǎn)生熱噪聲，但是BJT的熱噪聲主要是來自于數(shù)值較大、處于輸入回路中的基極電阻rb。

因此降低BJT熱噪聲的主要措施就是減小基極電阻，提高基區(qū)摻雜濃度和增大基區(qū)寬度。

② 散粒噪聲

這是正偏p-n結(jié)注入的少數(shù)載流子，由于不斷遭受散射而改變方向，同時(shí)又不斷復(fù)合、產(chǎn)生，所造成的一種電流、電壓起伏——散粒噪聲。p-n結(jié)注入的電流愈大，載流子的速度和數(shù)量的漲落也愈大，則散粒噪聲也就愈大。

③ 閃變?cè)肼暎?/f噪聲）

這種噪聲只有在低頻下才起重要作用，主要是來自于晶體缺陷、表面態(tài)或表面不穩(wěn)定性所引起的復(fù)合電流的漲落，其噪聲電流均方值與頻率f的α次方成反比，α值對(duì)同一種半導(dǎo)體而言是確定的，一般為0.8~1.5。

為了降低1/f噪聲，就需要提高晶體材料的質(zhì)量和改善工藝過程等。

降低高頻晶體管噪聲系數(shù)的基本措施就是：減小基極電阻rB；提高截止頻率fa；提高電流放大系數(shù)bo；選擇最佳的工作電流和信號(hào)源內(nèi)阻。

（2）JFET（含MESFET）的噪聲來源

JFET中產(chǎn)生噪聲的機(jī)理有三，即：

① 溝道熱噪聲

多數(shù)載流子在溝道電阻上的無規(guī)運(yùn)動(dòng) （熱運(yùn)動(dòng)），使得漏極電流或漏極電壓發(fā)生起伏，這也就是熱噪聲，它與溫度有關(guān), 而與頻率無關(guān)（白噪聲）。

② 誘生柵極噪聲

由于溝道電阻上的電壓起伏 （熱噪聲），再通過Cgs和Cds而感生柵極電壓或電流發(fā)生起伏，即誘生柵極噪聲，它與頻率有很大關(guān)系。這種噪聲在高頻時(shí)比較重要。

③ 擴(kuò)散噪聲

在短溝道JFET中將可能有電荷偶極疇的產(chǎn)生和運(yùn)動(dòng)，這就可造成漏極電流或電壓的起伏，即擴(kuò)散噪聲。這種噪聲在微波MESFET中可起主要作用。

JFET的噪聲具有以下一些特點(diǎn)：

首先，與BJT相比，JFET的噪聲要低得多 （因JFET中不存在少子產(chǎn)生、復(fù)合所引起的散粒噪聲 ）。

其次，在不同頻段，JFET的噪聲成分不同，在低頻段主要是溝道熱噪聲；在高頻段主要是誘生柵極噪聲。對(duì)短溝道器件，則主要是偶極疇引起的擴(kuò)散噪聲。

（3）MOSFET的噪聲來源

產(chǎn)生噪音的機(jī)理主要有三種：

①溝道熱噪聲

這是來自于溝道的電阻（即1/gD），并且與工作狀態(tài)和溫度有關(guān)，但與頻率無關(guān)（白噪聲）。

②誘生柵極噪聲

這來自于溝道的熱噪聲，并通過柵電容耦合到柵極、使柵電壓隨著溝道內(nèi)電勢(shì)分布的變化（熱噪聲）而產(chǎn)生起伏，即是溝道熱噪聲誘生出的柵極噪聲，是柵極回路中的噪聲源。誘生柵極噪聲在高頻時(shí)比較重要。

③1/f噪聲

這種噪聲主要是來自于Si-SiO2界面的界面態(tài)，是一種低頻噪聲，并且此噪聲電壓隨著頻率的升高而近似反比例下降，故稱為1/f噪聲。

MOSFET的噪聲在低頻段，主要是1/f噪聲；在高頻段，主要是誘生柵極噪聲和熱噪聲；在中間頻段，則主要是的熱噪聲。

降低MOSFET噪聲的措施主要是：

a）減少表面態(tài)（采用Si界面態(tài)密度小的面，減少界面缺陷，即降低表面態(tài)電荷密度，采用埋溝結(jié)構(gòu)），以減小低頻噪聲；

b）提高fT，主要是增大gm和減小輸入電容Cin，以降低高頻噪聲；

c）減小寄生元件。